大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于内存时序的问题，于是小编就整理了5个相关介绍内存时序的解答，让我们一起看看吧。
内存时序是什么意思？
内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。
它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。
第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。
内存时序啥意思？
内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，CASLatency（简称CL值）是内存CAS延迟时间，RAS－to－CASDelay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间;RASPrechargeDelay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间;RowActiveDelay（tRAS），内存行地址选通延迟。
内存时序最低多少？
6000MHz。
6000MHz内存最低时序，诠释极致效能当前玩家可选购的DDR5内存普遍时序较高，6000MHz内存条时序多为CL40、CL38，只有极少数专注于高端电竞领域的内存厂商有实力打造6000MHz CL30内存。
什么是内存的读写时序？
内存时序其实就是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“11-11-11-28”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”， CAS Latency（简称CL值）是内存CAS延迟时间，RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
内存时序怎么调？
内存时序的调节方法是：
1、在BIOS中打开手动设置。
2、在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。
3、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。
4、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。
5、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
6、内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
到此，以上就是小编对于内存时序的问题就介绍到这了，希望介绍关于内存时序的5点解答对大家有用。
